Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Люминесценция структур CdMnTe/CdMgTe с периодически расположенными узкозонными включениями

В. Ф. Агекян^a, G. Karczewski^b, А. Ю. Серов^a, Н. Г. Философов<sup>a

a</sup> Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, 198504 Санкт-Петербург, Россия
^b Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, 02-668 Warsaw, Poland

Аннотация: Исследованы спектры экситонного и внутрицентрового излучения планарных структур с периодически расположенными слоями Cd$_{0.9}$Mn$_{0.1}$Te (номинальная толщина – один монослой), которые разделены барьерами Cd$_{0.5}$Mg$_{0.5}$Te различной толщины. Сложная структура спектров и характер их изменения в интервале температур 5–80 K указывают на неоднородность слоев Cd$_{0.9}$Mn$_{0.1}$Te, на значительную роль вертикальной диффузии, на корреляцию неоднородностей в направлении роста при малом расстоянии между узкозонными слоями Cd$_{0.9}$Mn$_{0.1}$Te. Существенным фактором, влияющим на спектральный состав и квантовый выход экситонного излучения, является соотношение радиуса экситона и периода структуры.

Поступила в редакцию: 25.10.2011
Принята в печать: 31.10.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:5, 637–640

Реферативные базы данных:

•