Эта публикация цитируется в 10 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Транспортные свойства гетероструктур InGaAs/GaAs с $\delta$-легированными квантовыми ямами

Н. В. Байдусь^a, В. В. Вайнберг^b, Б. Н. Звонков^a, А. С. Пилипчук^b, В. Н. Порошин^b, О. Г. Сарбей<sup>b

a</sup> Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Институт физики Национальной академии наук Украины, 03680 Киев, Украина

Аннотация: Исследован латеральный транспорт электронов в одно- и двухъямных псевдоморфных гетероструктурах GaAs/$n$-InGaAs/GaAs с квантовыми ямами глубиной 50–100 мэВ и $\delta$-слоями примеси в области ям с концентрацией 10$^{11}<N_s<10^{12}$ см$^{-2}$. В одноямных структурах, с легированием в центре ямы, наблюдаются немонотонная температурная зависимость коэффициента Холла и рост низкотемпературной подвижности электронов при увеличении концентрации примеси. Совокупность полученных результатов свидетельствует о том, что в проводимости таких структур существенную роль играют электронные состояния примесной зоны. Включение примесной зоны позволяет также удовлетворительно объяснять характеристики проводимости двухъямных структур, при этом в отличие от одноямных структур важную роль играет изгиб зон вследствие асимметричного легирования. Численные расчеты проводимости в рамках рассмотренной модели подтверждают сделанные предположения.

Поступила в редакцию: 18.10.2011
Принята в печать: 31.10.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:5, 631–636

Реферативные базы данных:

•