Эта публикация цитируется в 2 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Дальнодействующее влияние облучения кремния светом на фотоэдс барьера Шоттки

Д. И. Тетельбаум, С. В. Тихов, Е. В. Курильчик, Ю. А. Менделева

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Установлено, что в результате облучения светом (со стороны базы) образца кремния с барьером Шоттки происходит уменьшение фотоэдс барьера. Величина фотоэдс восстанавливается приблизительно через 0.5 ч после облучения. Изменения фотоэдс при облучении сопоставляются с поведением микротвердости кремния и интерпретируются на основе представления о генерации точечных дефектов в эффекте дальнодействия.

Поступила в редакцию: 15.11.2011
Принята в печать: 21.11.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:5, 622–624

Реферативные базы данных:

•