Эта публикация цитируется в 10 статьях

Электронные свойства полупроводников

Экспериментальное определение времени жизни носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре

А. А. Пастор^a, П. Ю. Сердобинцев^b, В. В. Чалдышев<sup>c

a</sup> Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, 198504 Старый Петергоф, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Изучена динамика релаксации неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных пленках арсенида галлия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре. Условия выращивания эпитаксиального слоя обеспечивали содержание в нем избыточного мышьяка в количестве 1.2%. В таком материале время жизни носителей заряда составляет $<$ 1 пс. Для исследования релаксации носителей заряда в фемтосекундном диапазоне разработана оригинальная схема измерения динамического изменения коэффициента преломления света, основанная на методике pump–probe. Определено время жизни неравновесных носителей заряда, оказавшееся равным (200 $\pm$ 35) фс.

Поступила в редакцию: 17.11.2011
Принята в печать: 21.11.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:5, 619–621

Реферативные базы данных:

•