Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Формирование и отжиг радиационных дефектов в легированных оловом кристаллах германия $p$-типа

В. В. Литвинов^a, А. Н. Петух^a, Ю. М. Покотило^a, В. П. Маркевич^b, С. Б. Ластовский<sup>b

a</sup> Белорусский государственный университет, 220050 Минск, Беларусь
^b Научно-практический центр по материаловедению Национальной академии наук Беларуси, 220072 Минск, Беларусь

Аннотация: Исследовалось влияние олова на формирование и отжиг радиационных дефектов в кристаллах германия $p$-типа, облученных электронами с энергией 6 МэВ при температуре 80 K. Показано, что в облученных кристаллах Ge : Sn, Ga после нагрева до температуры 300 K доминируют акцепторные комплексы SnV с энтальпией ионизации дырок при 0.16 эВ. Эти комплексы исчезали при отжиге облученных кристаллов в интервале температур 30–75$^\circ$C. Отжиг облученных кристаллов в области температур 110–150$^\circ$C приводил к формированию глубоких центров с донорным уровнем при $E_v$ + 0.29 эВ, который предположительно приписывается комплексу олово-межузельный атом галлия.

Поступила в редакцию: 01.11.2011
Принята в печать: 07.11.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:5, 611–614

Реферативные базы данных:

•