Эта публикация цитируется в 16 статьях

Электронные свойства полупроводников

Тепловое расширение и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов CuIn$_5$S$_8$

И. В. Боднарь

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Беларусь

Аннотация: Направленной кристаллизацией расплава (вертикальный метод Бриджмена) выращены монокристаллы тройного соединения CuIn$_5$S$_8$. Определены состав и структура полученных кристаллов. Дилатометрическим методом измерено относительное удлинение, и рассчитаны коэффициенты теплового расширения. Из полученных данных рассчитаны температуры Дебая $(\Theta_{\mathrm{D}})$ и среднеквадратичные динамические смещения $(\sqrt{\bar u^2})$ атомов в соединении CuIn$_5$S$_8$. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур 20–300 K определена ширина запрещенной зоны, и построена ее температурная зависимость.

Поступила в редакцию: 04.10.2011
Принята в печать: 31.10.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:5, 602–605

Реферативные базы данных:

•