Эта публикация цитируется в 5 статьях

Электронные свойства полупроводников

О влиянии заряженных дислокационных стенок на подвижность в эпитаксиальных слоях GaN

С. Е. Красавин

Объединенный институт ядерных исследований, 141980 Дубна, Московская обл., Россия

Аннотация: Предложена теоретическая модель в рамках традиционного представления о ридовских цилиндрах для объяснения коллапса подвижности как функции концентрации свободных носителей в пленках на основе GaN. Наряду с фононными и примесными механизмами рассеяния в модели учитывается рассеяние электронов за счет заряженных дислокаций, выстроенных в стенку. Найдено выражение для высоты дрейфового барьера в зависимости от концентрации свободных носителей. На основе полученных уравнений объясняется причина зависимости положения минимума подвижности от дислокационной структуры.

Поступила в редакцию: 28.09.2011
Принята в печать: 20.10.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:5, 598–601

Реферативные базы данных:

•