А. П. Авачев, С. П. Вихров, Н. В. Вишняков, С. А. Козюхин, К. В. Митрофанов, Е. И. Теруков, “Фазовые переходы в тонких пленках халькогенидов Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ по данным комбинационного рассеяния света”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 5,страницы 609

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Фазовые переходы в тонких пленках халькогенидов Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ по данным комбинационного рассеяния света

А. П. Авачев^a, С. П. Вихров^a, Н. В. Вишняков^a, С. А. Козюхин^b, К. В. Митрофанов^a, Е. И. Теруков^c

^a Рязанский государственный радиотехнический университет, 390005 Рязань, Россия
^b Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, 119991 ГСП-1 Москва, Россия
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлено исследование спектров комбинационного рассеяния света в тонких пленках халькогенидных полупроводников состава Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ с целью определения температур фазовых переходов, происходящих при воздействии лазерного излучения.

Поступила в редакцию: 18.10.2011
Принята в печать: 31.10.2011