Эта публикация цитируется в 67 статьях

Обзоры

Физика эффектов переключения и памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Обзор

Н. А. Богословский, К. Д. Цэндин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Эффекты переключения и памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках известны уже почти полвека. Однако до сегодняшнего дня физика этих эффектов остается неизвестной. В последнее время интерес к данному вопросу вызван интенсивными разработками элементов энергонезависимой памяти нового поколения на основе фазового перехода халькогенидное стекло-кристалл. В данной работе приведен обзор основных экспериментальных закономерностей эффектов переключения и памяти, сделан обзор и анализ моделей эффекта переключения. Рассмотрены основные характеристики элементов памяти с изменяемым фазовым состоянием и используемых материалов. На основании этого сформулированы преимущества современных элементов фазовой памяти по сравнению с элементами памяти первого поколения.

Поступила в редакцию: 19.10.2011
Принята в печать: 14.11.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:5, 559–690

Реферативные базы данных:

•