Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Исследование фотоэлектрических характеристик диодов в макетных фоточувствительных пикселях для монолитного матричного ИК фотоприемника

А. В. Сорочкин, В. С. Варавин, А. В. Предеин, И. В. Сабинина, М. В. Якушев

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Изготовлены тестовые фотодиоды, сформированные в виде разноплощадных мезаструктур размером от 30 $\times$ 30 до 100 $\times$ 100 мкм на основе структуры Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te/Si при $x$ = 0.235, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Измерены вольт-амперные характеристики диодов в темновом режиме и при засветке фоном. Проведено сравнение экспериментальных результатов с теоретическими расчетами. Установлено, что зависимость фототока и темнового тока фотодиода от размера мезаструктуры проявляется в диапазоне размеров мез от 30 $\times$ 30 до 80 $\times$ 80 мкм. При увеличении размера происходит уменьшение темнового тока и увеличение фототока. Обсуждаются механизмы, оказывающие влияние на поведение вольт-амперных характеристик.

Поступила в редакцию: 03.10.2011
Принята в печать: 10.10.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:4, 535–540

Реферативные базы данных:

•