Физика полупроводниковых приборов

Низкотемпературные (77–300 K) вольт-амперные характеристики $p^+$–$p$–$n^+$-диодов на основе 4H-SiC: влияние примесного пробоя в $p$-базе

П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследовано влияние примесного пробоя на вольт-амперные характеристики 4H-SiC диодов с $p$-базой в диапазоне температур 77–300 K. Для изготовления экспериментальных образцов использовались коммерческие эпитаксиальные 4H-SiC $p^+$–$p$–$n^+$-структуры, выращенные CVD эпитаксией. Сильное электрическое поле в $p$-базе создавалось при смещении диодов в прямом направлении. Обнаружено, что при температурах 136, 89 и 81 K вслед за обычным “диодным” участком на вольт-амперной характеристике проявляется участок, где ток растет быстрее за счет ударной ионизации вымороженных акцепторных атомов Al, находящихся в основном (невозбужденном) состоянии. При температурах 81 и 77 K вслед за этим участком наблюдается участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением – регенеративное переключение диода за счет ударной ионизации атомов алюминия, находящихся в возбужденном состоянии.

Поступила в редакцию: 13.10.2011
Принята в печать: 17.10.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:4, 532–534

Реферативные базы данных:

•