Эта публикация цитируется в 6 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Диодные размыкатели тока с субнаносекундным быстродействием на основе 4H-SiC

П. А. Иванов, И. В. Грехов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Изготовлены меза-эпитаксиальные $p^+$–$p$–$n_0$–$n^+$-диоды на основе 4H-SiC и измерены характеристики их переключения из прямого направления в обратное в режимах, характерных для быстродействующих полупроводниковых размыкателей тока – дрейфовых диодов с резким восстановлением и SOS-диодов. Обнаружено, что после короткой ($\sim$10 нс) импульсной накачки неравновесных носителей прямым током (плотностью 200–400 А/см$^2$) и последующего наброса импульса обратного напряжения (с фронтом нарастания 2 нс) диоды способны обрывать обратный ток плотностью 5–40 кА/см$^2$ за время порядка или менее 0.3 нс. Обсуждается возможный механизм обнаруженного сверхбыстрого обрыва тока.

Поступила в редакцию: 26.09.2011
Принята в печать: 03.10.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:4, 528–531

Реферативные базы данных:

•