Эта публикация цитируется в 14 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Работа полупроводникового прерывателя при сверхвысоких плотностях тока

С. К. Любутин^a, С. Н. Рукин^a, Б. Г. Словиковский^a, С. Н. Цыранов<sup>ab

a</sup> Институт электрофизики УрО РАН, г. Екатеринбург
^b Уральский федеральный университет, 620002 Екатеринбург, Россия

Аннотация: Исследован механизм работы полупроводникового прерывателя тока (SOS-диода) при плотности обрываемого тока в десятки кА/см$^2$. В эксперименте максимальная плотность обратного тока достигала 43 кА/см$^2$ за время $\sim$40 нс. Приведены экспериментальные данные для SOS-диодов со структурой $p^+$–$p$–$n$–$n^+$ с глубиной залегания $p$–$n$-перехода от 145 до 180 мкм. Методами численного моделирования исследованы процессы динамики электронно-дырочной плазмы в диоде на стадиях накачки и обрыва тока. Показано, что обрыв тока связан с образованием области сильного электрического поля в тонком ($\sim$45 мкм) слое высоколегированной $p$-области структуры, в котором концентрация акцепторов превышает 10$^{16}$ см$^{-3}$, а процесс обрыва тока слабо зависит от глубины залегания $p$–$n$-перехода.

Поступила в редакцию: 06.09.2011
Принята в печать: 03.10.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:4, 519–527

Реферативные базы данных:

•