RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 4, страницы 525–529 (Mi phts8217)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Воздействие барьерного разряда лавинной формы на галогенсеребряный фотоматериал при заблокированной ионной проводимости

А. П. Бойченко

Кубанский государственный университет, г. Краснодар

Аннотация: Путем химического воздействия 1-фенил-5-меркаптотетразолом на ионную подсистему микрокристаллов галоидного серебра фотографических эмульсий исследованы процессы формирования изображений барьерного газового разряда лавинной формы, возбуждаемого одиночными видеоимпульсами длительностью $\sim$7 мкс. На примерах промышленно выпускаемой рентгеновской фотопленки “RETINA” и специально изготовленных с эффективными поверхностными и глубинными ловушками электронов в фотоэмульсионных микрокристаллах выявлена избирательная газоразрядная чувствительность фотослоев к полярности прикладываемого напряжения. Показано, что независимо от расположения фотоматериалов в системе конденсатора их чувствительность к барьерному разряду, зажигающемуся при импульсах отрицательной полярности (на электроде, где находится фотоматериал), оказывается выше, чем при положительной.

Поступила в редакцию: 19.09.2011
Принята в печать: 03.10.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:4, 509–513

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026