Аннотация:
Обнаружен эффект фотостимулированного повышения растворимости отожженных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников в селективных травителях на основе аминов. Установлено, что скорость травления повышается при увеличении интенсивности облучения, а ее спектральная зависимость коррелирует с поглощением в пленке в области края межзонных переходов. Показано, что новый фотостимулированный эффект позволяет реализовать фотолитографический процесс (в том числе процесс интерференционной фотолитографии) на слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников, отожженных при температуре, близкой к температуре размягчения халькогенидного стекла, путем одновременного экспонирования и селективного травления таких слоев. Обсуждается возможный механизм фототравления халькогенидных стеклообразных полупроводников.
Поступила в редакцию: 18.08.2011 Принята в печать: 12.09.2011