Эта публикация цитируется в 19 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs

Д. С. Пономарев^a, И. С. Васильевский^a, Г. Б. Галиев^b, Е. А. Климов^b, Р. А. Хабибуллин^a, В. А. Кульбачинский^c, Н. А. Юзеева<sup>c

a</sup> Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^b Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, г. Москва
^c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонная структура и электрофизические свойства гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP с составной квантовой ямой InGaAs с нановставками InAs и GaAs. С помощью эффекта Шубникова–де-Гааза измерены и рассчитаны значения эффективной циклотронной массы $m^*_c$ с учетом непараболичности энергетического спектра электронов. Предложен и апробирован подход к оценке эффективной массы, основанный на весовом усреднении $m^*_c$ в составляющих сложную квантовую яму материалах. Впервые предложенная гетероструктура с двумя симметрично расположенными в квантовых ямах нановставками InAs позволяет уменьшить $m^*_c$ на 26% по сравнению с решеточно-согласованной квантовой ямой In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As.

Поступила в редакцию: 22.09.2011
Принята в печать: 03.10.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:4, 484–490

Реферативные базы данных:

•