Эта публикация цитируется в 2 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Особенности подвижности электронов в тонком слое кремния в структуре диэлектрик–кремний–диэлектрик

А. В. Леонов, А. Д. Мокрушин, Н. М. Омельяновская

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследований подвижности электронов в тонком слое кремния системы металл–диэлектрик–полупроводник–диэлектрик–металл в зависимости от величины продольного и поперечного электрических полей (в широком диапазоне их значений), температуры (в диапазоне от 1.7 до 400 K) и изменения условий $\gamma$-облучения.
Показано, что в интервале температур от 400 до $\sim$100 K подвижность электронов увеличивается в соответствии с механизмом рассеяния на акустических фононах, тогда как при дальнейшем снижении температуры вплоть до температур жидкого гелия подвижность падает вследствие того, что превалирующим становится кулоновское рассеяние электронов на заряженных поверхностных центрах.
Показано также, что в результате $\gamma$-облучения подвижность электронов уменьшается, причем степень этого уменьшения сильно зависит от электрического режима датчика в процессе облучения.

Поступила в редакцию: 03.10.2011
Принята в печать: 10.10.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:4, 478–483

Реферативные базы данных:

•