Эта публикация цитируется в 12 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Перенос заряда на границе $n$-GaAs(100) с водным раствором соляной кислоты: исследования методом электрохимической импедансной спектроскопии

М. В. Лебедев^a, T. Masuda^b, K. Uosaki<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Physical Chemistry Laboratory, Division of Chemistry, Graduate School of Science, Hokkaido University, Sapporo 060-0810, Japan

Аннотация: Методом электрохимической импедансной спектроскопии исследуются процессы переноса зарядов на границе $n$-GaAs(100) с водным раствором соляной кислоты. Установлено, что при приложении к полупроводнику анодных потенциалов импедансные спектры содержат две емкостные полупетли, соответствующие емкости области пространственного заряда и емкости поверхностных состояний. При приложении потенциала холостого хода изгиб зон на границе полупроводника с раствором равен 0.7 эВ, а плотность заполненных поверхностных состояний полупроводника в темноте и при освещении комнатным светом равна соответственно 1.6 и 2.8 $\cdot$ 10$^{12}$ см$^2$эВ$^{-1}$. При приложении к полупроводнику катодного потенциала происходит выделение водорода на границе полупроводник/раствор и в импедансном спектре появляется дополнительная индуктивная петля. Одновременно происходит возрастание плотности интерфейсных состояний как за счет выпрямления зон полупроводника, так и за счет формирования связей As–H. Таким образом, перенос заряда через границу $n$-GaAs(100)/водный раствор HCl всегда происходит с участием поверхностных состояний.

Поступила в редакцию: 03.10.2011
Принята в печать: 10.10.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:4, 471–477

Реферативные базы данных:

•