Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Механизм транспорта заряда в МДП-структурах ITO/[GeO$_x$]$_{(z)}$[SiO$_2$]$_{(1-z)}$ (0.25 $\le z\le1$)/$n^+$-Si

И. Д. Юшков^ab, А. А. Гисматулин^a, Г. Н. Камаев^a, M. Vergnat^c, В. А. Володин<sup>ab

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
^c Université de Lorraine, F-54000 Nancy, France

Аннотация: Исследован механизм транспорта заряда в структурах металл–диэлектрик–полупроводник (МДП) ITO/[GeO$_x$]$_{(z)}$[SiO$_2$]$_{(1-z)}$ (0.25 $\le z\le1$)/$n^+$-Si с пленками германосиликатного стекла, полученными путем испарения электронным пучком порошков оксида германия и оксида кремния в вакууме. Верхний контакт ITO наносился на поверхность диэлектрического слоя методом магнетронного распыления. По данным ИК спектроскопии, в пленках состава [GeO$_x$]$_{(z)}$[SiO$_2$]$_{(1-z)}$ (0.25 $\le z\le$ 0.75) присутствуют связи Ge–O, Si–O и Ge–O–Si. Экспериментальные вольт-амперные характеристики, измеренные при различных температурах, аппроксимированы с использованием как контактно-ограниченных, так и объемно-ограниченных моделей транспорта заряда в диэлектрике. Установлено, что механизм проводимости наиболее адекватно описывается моделью тока, ограниченного пространственным зарядом. Определены параметры ловушек в диэлектрике в рамках данной модели.

Ключевые слова: МДП-структура, транспорт заряда, ИК-спектроскопия.

Поступила в редакцию: 17.07.2025
Исправленный вариант: 12.08.2025
Принята в печать: 14.08.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.06.61573.8396