XXIX Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 10-14 марта 2025 г.

Исследование роста и электрической проводимости сверхтонких пленок магния на поверхности Si(111), пассивированной висмутом

Д. А. Цуканов^ab, С. Г. Азатьян^a, Н. В. Денисов^a, М. В. Рыжкова<sup>a

a</sup> Институт автоматики и процессов управления Дальневосточное отделение Российской академии наук, 690041 Владивосток, Россия
^b Дальневосточный федеральный университет, 690090 Владивосток, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследования кристаллической структуры, морфологии и электрического сопротивления подложек Si(111) после осаждения магния на предварительно сформированные поверхностные реконструкции Si(111)$\sqrt3\times\sqrt3$-Bi. Для исследования изменений структуры кристаллической решетки и морфологии поверхности использован метод дифракции медленных электронов и сканирующая туннельная микроскопия, а для измерения электрического сопротивления подложек – четырехзондовый метод в условиях in situ. Рассмотрено влияние концентрации адсорбированных атомов магния на структурные и электрические свойства пленок. Показана роль поверхностных реконструкций в качестве буферного слоя для последующего роста сверхтонких пленок магния.

Ключевые слова: адсорбция, поверхностная реконструкция, электрическое сопротивление, дифракция медленных электронов, четырехзондовый метод измерения сопротивления подложки.

Поступила в редакцию: 23.06.2025
Исправленный вариант: 14.08.2025
Принята в печать: 14.08.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.06.61572.7739