XXIX Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 10-14 марта 2025 г.

Моделирование уровней Ландау, холловского и продольного сопротивления в топологическом андерсоновском изоляторе в квантовой яме HgTe/Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te

Д. В. Хомицкий^a, Е. А. Лаврухина^b, А. В. Тележников^a, М. С. Жолудев<sup>c

a</sup> Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, физический факультет, 603022 Нижний Новгород, Россия
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603022 Нижний Новгород, Россия
^c Институт физики микроструктур РАН, 603087 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Исследуются уровни Ландау, условия наблюдения квантования холловского сопротивления и поведение продольного сопротивления краевых состояний в магнитном поле для квантовой ямы HgTe/Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te ориентации (013) и ширины 14.1 нм со спектром полуметалла, вблизи точки зарядовой нейтральности. Основываясь на результатах недавних экспериментов для такой структуры с беспорядком в фазе топологического андерсоновского изолятора и привлекая теорию локализации краевых состояний в магнитном поле, проводится моделирование порога наблюдения плато холловского сопротивления, а также зависимости продольного сопротивления для краевых состояний от магнитного поля, для различной температуры. Результаты моделирования находятся в хорошем соответствии с экспериментальными данными.

Ключевые слова: топологический андерсоновский изолятор, полуметалл, краевые состояния, локализация, холловское сопротивление, продольное сопротивление.

Поступила в редакцию: 23.06.2025
Исправленный вариант: 14.08.2025
Принята в печать: 14.08.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.06.61569.7731