Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург

Высокотемпературные фотодиоды на основе гетероструктур $n$-InAsSbP/InAs/$p$-InAsSbP

А. А. Климов, Р. Э. Кунков, Т. С. Лухмырина, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлены результаты разработки и исследования фотодиодов на основе гетероструктуры $n$-InAs/$n$-InAsSbP/InAs/$p$-InAsSbP в интервале температур 125–500 K. Обсуждаются конструктивные особенности эпитаксиальной структуры и чипа фотоприемника, которые обеспечили значения токовой чувствительности и обнаружительной способности $S_i$ = 1.6 А/Вт и $D^*$ = 1.5 $\cdot$ 10$^{10}$ см $\cdot$ Гц$^{1/2}$ $\cdot$ Вт$^{-1}$ при комнатной температуре и $S_i>$ 0.1 А/Вт при $T$ = 500 K.

Ключевые слова: средневолновый фотодиод, фотодиод InAs, фотодиоды InAsSb, высокотемпературные фотодиоды, гетероструктура InAsSbP/InAs, FSI фотодиод.

Поступила в редакцию: 05.05.2025
Исправленный вариант: 24.06.2025
Принята в печать: 18.09.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.06.61568.8070