RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 6, страницы 328–331 (Mi phts8201)

Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург

Гибридные каскадные солнечные элементы на основе бондинга материалов А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ и кремния

С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведено исследование различных пар А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ материалов, с увеличенным содержанием алюминия в фотоактивных слоях широкозонных субэлементов, для формирования структур (Al)GaInP/(Al)GaAs//Si гибридных солнечных элементов. Выполнены расчеты спектральных характеристик внешней квантовой эффективности (Al)GaInP/(Al)GaAs//Si солнечных элементов. Получены прогнозные оценки для кпд солнечных элементов на основе структур, обеспечивающих эффективную работу приборов при преобразовании излучений: космического (АМ0, 1 sun) – GaInP$_2$/Al$_{0.1}$Ga$_{0.9}$As//Si (33.5%) и (Al$_{0.17}$Ga$_{0.83}$)InP$_2$/Al$_{0.1}$Ga$_{0.9}$As//Si (34.9%); наземного (АМ1.5D, 236 suns) – GaInP$_2$/Al$_{0.08}$Ga$_{0.92}$As//Si ($\sim$43.1%) и (Al$_{0.14}$Ga$_{0.86}$)InP$_2$/Al$_{0.08}$Ga$_{0.92}$As//Si ($\sim$44.1%).

Ключевые слова: многопереходный солнечный элемент, МОСГФЭ, кпд, спектральная характеристика, математическое моделирование.

Поступила в редакцию: 05.05.2025
Исправленный вариант: 24.06.2025
Принята в печать: 18.09.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.06.61567.8022



© МИАН, 2026