Аннотация:
Проведено исследование различных пар А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ материалов, с увеличенным содержанием алюминия в фотоактивных слоях широкозонных субэлементов, для формирования структур (Al)GaInP/(Al)GaAs//Si гибридных солнечных элементов. Выполнены расчеты спектральных характеристик внешней квантовой эффективности (Al)GaInP/(Al)GaAs//Si солнечных элементов. Получены прогнозные оценки для кпд солнечных элементов на основе структур, обеспечивающих эффективную работу приборов при преобразовании излучений: космического (АМ0, 1 sun) – GaInP$_2$/Al$_{0.1}$Ga$_{0.9}$As//Si (33.5%) и (Al$_{0.17}$Ga$_{0.83}$)InP$_2$/Al$_{0.1}$Ga$_{0.9}$As//Si (34.9%); наземного (АМ1.5D, 236 suns) – GaInP$_2$/Al$_{0.08}$Ga$_{0.92}$As//Si ($\sim$43.1%) и (Al$_{0.14}$Ga$_{0.86}$)InP$_2$/Al$_{0.08}$Ga$_{0.92}$As//Si ($\sim$44.1%).