RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 4, страницы 469–472 (Mi phts8197)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Электронные свойства полупроводников

Статические и динамические фотоиндуцированные магнитные эффекты в иттрий-железистом гранате с малой примесью ионов бария

Н. В. Воробьева, Р. З. Халилов

Институт физики молекул и кристаллов Российской академии наук, 450075 Уфа, Россия

Аннотация: В монокристаллах иттрий-железистого граната с малой примесью бария при 78–100 K прямые измерения фотоиндуцированного изменения магнитострикционных деформаций не соответствуют изменению констант магнитострикции. Это отнесено к значительному фотоиндуцированному изменению начального состояния в этом образце вследствие перераспределения (при освещении) заряда между катионами ферромагнитной октаэдрической подрешетки. В этом же образце измерена и рассчитана температурная зависимость фотоиндуцированной дезаккомодации магнитной проницаемости, характеризующей начальное, размагниченное состояние. Показана смена электронного механизма явления при переходе к комнатным температурам. Сделан вывод о перспективности использования таких образцов для перемагничивания светом.

Поступила в редакцию: 12.09.2011
Принята в печать: 18.10.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:4, 452–455

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026