Эта публикация цитируется в 6 статьях

Электронные свойства полупроводников

Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами $n$-GaN

В. Н. Брудный^a, С. С. Веревкин^b, А. В. Говорков^c, В. С. Ермаков^b, Н. Г. Колин^b, А. В. Корулин^b, А. Я. Поляков^c, Н. Б. Смирнов<sup>c

a</sup> Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
^b Физико-химический институт им. Л. Я. Карпова, Обнинский филиал, 249033 Обнинск, Россия
^c Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", г. Москва

Аннотация: Рассмотрено влияние облучения электронами (энергии $E$ = 7 и 10 МэВ, дозы $D$ = 10$^{16}$–10$^{18}$ см$^{-2}$) и последующих термообработок в интервале температур 100–1000$^\circ$C на электрофизические свойства и спектр глубоких ловушек нелегированных (концентрации электронов $n$ = 1 $\cdot$ 10$^{14}$–1 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-3}$), промежуточно легированных ($n$ = (1.2–2) $\cdot$ 10$^{17}$ см$^{-3}$) и сильно легированных кремнием ($n$ = (2–3.5) $\cdot$ 10$^{18}$ см$^{-3}$) эпитаксиальных слоев $n$-GaN, выращенных на подложке Al$_2$O$_3$ с использованием технологии MOCVD. Обнаружено увеличение удельного сопротивления $n$-GaN при электронном облучении, обусловленное смещением уровня Ферми в предельное положение вблизи $E_c$–0.91 эВ. Исследован спектр глубоких ловушек в исходном и облученном электронами $n$-GaN. Показано, что восстановление исходных свойств облученного материала имеет место в интервале температур 100–1000$^\circ$C с основной стадией отжига радиационных дефектов вблизи 400$^\circ$C.

Поступила в редакцию: 04.08.2011
Принята в печать: 12.09.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:4, 433–439

Реферативные базы данных:

•