Эта публикация цитируется в 4 статьях

Электронные свойства полупроводников

Влияние $\gamma$-облучения на электрофизические свойства термообработанных монокристаллов Tb$_x$Sn$_{1-x}$Se

Д. И. Гусейнов, Т. А. Джафаров

Азербайджанский государственный педагогический университет, Az-1000 Баку, Азербайджан

Аннотация: Исследовано влияние $\gamma$-облучения на электрофизические свойства термообработанных монокристаллов Tb$_{0.01}$Sn$_{0.99}$Se и Tb$_{0.05}$Sn$_{0.95}$Se. Обнаружено, что после облучения $\gamma$-лучами с энергией 1.25 МэВ концентрация носителей заряда уменьшается на 17 и 6.3% соответственно в интервале температур $T$ = 77–200 K. Предполагается, что при облучении $\gamma$-квантами примеси тербия располагаются между узлами кристаллической решетки и дополнительно возникают дефекты по Френкелю.

Поступила в редакцию: 04.08.2011
Принята в печать: 16.08.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:4, 430–432

Реферативные базы данных:

•