Эта публикация цитируется в 27 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Импульсное лазерное осаждение тонких пленок ITO и их характеристики

Д. А. Зуев^a, А. А. Лотин^a, О. А. Новодворский^a, Ф. В. Лебедев^a, О. Д. Храмова^a, И. А. Петухов^b, Ф. Н. Путилин^b, А. Н. Шатохин^b, М. Н. Румянцева^b, А. М. Гаськов<sup>b

a</sup> Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, г. Шатуpа Московской обл.
^b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет

Аннотация: Методом импульсного лазерного осаждения выращены тонкие пленки оксида индия и олова (ITO) на подложках из кварцевого стекла. Проведены исследования структурных, электрических и оптических свойств пленок ITO в зависимости от температуры подложки, давления кислорода в вакуумной камере и концентрации Sn в мишени. Пропускание полученных пленок ITO в видимой области спектра превышает 85%. Достигнуто минимальное значение удельного сопротивления 1.79 $\cdot$ 10$^{-4}$ Ом $\cdot$ см в пленках ITO с содержанием Sn 5 ат%.

Поступила в редакцию: 18.10.2011
Принята в печать: 31.10.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:3, 410–413

Реферативные базы данных:

•