Эта публикация цитируется в 22 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Свойства тонких пленок оксида вольфрама, формируемых методами ионно-плазменного и лазерного осаждения для детектора водорода на основе структуры MOSiC

В. Ю. Фоминский^a, С. Н. Григорьев^b, Р. И. Романов^a, В. В. Зуев^a, В. В. Григорьев<sup>a

a</sup> Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^b Московский государственный технологический университет "Станкин"

Аннотация: Получены тонкопленочные структуры на основе газочувствительного оксида вольфрама и каталитической платины, нанесенных при комнатной температуре на карбидокремниевую пластину с использованием импульсных методов лазерного и ионно-плазмeнного осаждения. Нагрев на воздухе до 600$^\circ$C оксидных слоев вызывал формирование микро- и наноструктурированных кристаллических состояний, зависящих от условий осаждения. Структурные различия отражались на электрофизических параметрах и стабильности характеристик. Максимальная реакция на водород обнаружена в структуре, полученной осаждением низкоэнергетичного лазерно-инициированного потока атомов вольфрама в кислороде. Сдвиг вольт-амперных кривых по напряжению в смеси 2% H$_2$ в воздухе при 350$^\circ$C достигал 4.6 В при токе $\sim$10 мкА. Метастабильность полученных структур обусловливала заметное уменьшение сдвига после длительных циклических испытаний. Наиболее стабильные величины сдвига составили $\sim$2 В при положительном смещении на Pt-контакте и были обнаружены для оксидных пленок, полученных ионно-плазменным распылением.

Поступила в редакцию: 10.08.2011
Принята в печать: 16.08.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:3, 401–409

Реферативные базы данных:

•