П. А. Иванов, И. В. Грехов, А. С. Потапов, О. И. Коньков, Н. Д. Ильинская, Т. П. Самсонова, O. Korolkov, N. Sleptsuk, “Токи утечки в 4H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки–($p$–$n$-структурой)”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 3,страницы 411

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Токи утечки в 4H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки–($p$–$n$-структурой)

П. А. Иванов^a, И. В. Грехов^a, А. С. Потапов^a, О. И. Коньков^a, Н. Д. Ильинская^a, Т. П. Самсонова^a, O. Korolkov^b, N. Sleptsuk^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Department of Electronics, Tallinn University of Technology, Tallinn, Estonia

Аннотация: Исследованы утечки в высоковольтных диодах Шоттки на основе 4H-SiC, имеющих интегрированную шоттки–($p$–$n$)-структуру (JBS, Junction Barrier Schottky). Для исследований использовались коммерческие диоды, а также специально изготовленные (на основе коммерческого эпитаксиального материала) тестовые диоды Шоттки как с JBS-структурой, так и без нее. Показано, что: 1) основную роль в протекании обратного тока играют дефекты кристаллической структуры SiC, по всей вероятности, дислокации (плотность $\sim$10$^4$ см$^{-2}$); 2) JBS-структура, формируемая с помощью имплантации бора, способствует частичному подавлению токов утечки (до 10 раз при оптимальном зазоре, между локальными $p$-областями, равном 8 мкм).

Поступила в редакцию: 06.09.2011
Принята в печать: 12.09.2011