Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Кинетика отклика тока детекторов TlBr в поле $\gamma$-излучения высокой мощности дозы

И. М. Газизов^a, В. М. Залетин^b, В. М. Кукушкин^a, М. С. Кузнецов^c, И. С. Лисицкий<sup>c

a</sup> Институт физико-технических проблем, 141980 Дубна, Московская область, Россия
^b Государственный университет "Дубна", г. Дубна, Московская обл.
^c Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", г. Москва

Аннотация: Исследована кинетика отклика фототока легированных и нелегированных образцов TlBr при облучении от $\gamma$-источника $^{137}$Cs мощностью дозы от 0.033 до 3.84 Гр/мин. Кристаллы выращивались методом направленной кристаллизации расплава по Бриджмену–Стокбаргеру. Массовая доля вносимой примеси Pb в легированных кристаллах TlBr составляла 1–10 ppm, а примеси Ca – 150 ppm. Рост кристаллов проводился в вакууме, в парах брома, в атмосфере водорода и на воздухе. Для примесных кристаллов, легированных двухвалентными катионами, независимо от атмосферы роста, а также для кристаллов, выращенных в водороде, и кристаллов, выращенных при избытке таллия, наблюдался спад фототока. Постоянная спада фототока $\tau$ составляла 30–1400 с и была пропорциональна удельному сопротивлению. Показано, что отклик тока может быть связан с фотолизом в кристаллах TlBr во время $\gamma$-облучения. Проведена оценка энергии дырочных ловушек, ответственных за медленное нарастание фототока, она составила величину 0.6–0.85 эВ.

Поступила в редакцию: 30.08.2011
Принята в печать: 12.09.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:3, 391–396

Реферативные базы данных:

•