И. П. Смирнова, Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, М. В. Кукушкин, “AlGaInN-светодиоды с прозрачным $p$-контактом на основе тонких пленок ITO”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 3,страницы 384

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Физика полупроводниковых приборов

AlGaInN-светодиоды с прозрачным $p$-контактом на основе тонких пленок ITO

И. П. Смирнова^a, Л. К. Марков^a, А. С. Павлюченко^a, М. В. Кукушкин^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b ЗАО Инновационная фирма "ТЕТИС", 194156 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Разработан способ получения прозрачных проводящих пленок ITO (indium tin oxide), предназначенных для использования в светодиодах синего спектрального диапазона. Максимальный внешний квантовый выход светодиодов с $p$-контактом на основе полученных пленок достигает 25%, в то время как для аналогичных светодиодов со стандартным полупрозрачным металлическим контактом он составляет $<$ 10%. Наблюдаемое увеличение прямого падения напряжения с 3.15 до 3.37 В не оказывает существенного влияния на возможность применения данных пленок в светодиодах, так как величина оптической мощности светодиодов с прозрачным $p$-контактом на основе пленок ITO почти в 2.5 раза превышает оптическую мощность кристаллов с металлическими полупрозрачными $p$-контактами при рабочем токе 20 мА. Светодиоды с $p$-контактами на основе пленок ITO успешно выдерживали токи накачки, в 5 раз превышающие их расчетный рабочий ток, не обнаруживая признаков деградации.

Поступила в редакцию: 25.07.2011
Принята в печать: 01.08.2011