А. П. Бахтинов, В. Н. Водопьянов, В. В. Нетяга, З. Р. Кудринский, О. С. Литвин, “Морфология поверхности и электрические свойства гибридных структур, сформированных на основе слоистого полупроводника с наноразмерными сегнетоэлектрическими включениями Au/Ni/$\langle$C$\rangle$/$n$-Ga$_2$O$_3$/$p$-GaSe$\langle$KNO$_3\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 3,страницы 356

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Морфология поверхности и электрические свойства гибридных структур, сформированных на основе слоистого полупроводника с наноразмерными сегнетоэлектрическими включениями Au/Ni/$\langle$C$\rangle$/$n$-Ga$_2$O$_3$/$p$-GaSe$\langle$KNO$_3\rangle$

А. П. Бахтинов^a, В. Н. Водопьянов^a, В. В. Нетяга^a, З. Р. Кудринский^a, О. С. Литвин^b

^a Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, 58001 Черновцы, Украина
^b Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии исследованы особенности формирования гибридных наноструктур Au/Ni/$\langle$C$\rangle$/$n$-Ga$_2$O$_3$ на ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) композитных наноструктур “слоистый полупроводник–сегнетоэлектрик” ($p$-GaSe$\langle$KNO$_3\rangle$). При комнатной температуре исследованы вольт-амперные характеристики и зависимость импедансного спектра гибридных структур от напряжения смещения. На вольт-амперной характеристике наблюдаются резонансный пик и участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Ток на этой характеристике достигает максимальногоо значения при определенном значении приложенного напряжения смещения, когда происходит переключение электрической поляризации в наноразмерных трехмерных включениях в слоистой матрице GaSe. В области высоких частот ($f>$ 10$^6$ Гц) обнаружен импеданс индуктивного типа (большая отрицательная емкость структур, $\sim$10$^{-6}$ Ф/мм$^2$). Этот эффект связан с транспортом спин-поляризованных электронов в последовательно соединенных между собой полупроводниковой композитной наноструктуре с множественными квантовыми ямами $p$-GaSe$\langle$KNO$_3\rangle$ и прямо смещенном поляризаторе “ферромагнитный металл–полупроводник” (Au/Ni/$\langle$C$\rangle$/$n^+$-Ga$_2$O$_3$/$n$-Ga$_2$O$_3$). На вольт-амперных характеристиках структур обнаружен сдвиг максимума (гистерезис тока) при разных направлениях изменения напряжения смещения.

Поступила в редакцию: 20.07.2011
Принята в печать: 04.08.2011