А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, Я. Я. Кудрик, А. В. Саченко, В. Н. Шеремет, А. О. Виноградов, “Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd$_2$Si–n$^+$–Si, подвергнутых микроволновому облучению”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 3,страницы 344

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd$_2$Si–n$^+$–Si, подвергнутых микроволновому облучению

А. Е. Беляев^a, Н. С. Болтовец^b, Р. В. Конакова^a, Я. Я. Кудрик^a, А. В. Саченко^a, В. Н. Шеремет^a, А. О. Виноградов^a

^a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^b Научно-исследовательский институт "Орион", Киев

Аннотация: На основе теоретического анализа температурной зависимости контактного сопротивления $R_c$ омического контакта Au–Ti–Pd$_2$Si–n$^+$–Si предложен механизм токопереноса, объясняющий растущие с повышением температуры измерения в диапазоне 100–380 K величины $R_c$, наблюдаемые экспериментально. Показано, что микроволновая обработка таких контактов приводит к уменьшению разброса $R_c$ по пластине и уменьшению величины $R_c$ при сохранении роста $R_c$ в диапазоне температур 100–380 K.

Поступила в редакцию: 22.08.2011
Принята в печать: 29.08.2011