Электронные свойства полупроводников

Об особенностях процессов рекомбинации в слоистых пленках $a$-Si : H

И. А. Курова, Н. Н. Ормонт

Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова

Аннотация: Спектральный состав поглощаемого света определяет тип генерации носителей тока – межзонную или смешанную генерацию, которая включает также генерацию электронов с уровней хвоста валентной зоны. Тип генерации влияет на величину и температурную зависимость темпа рекомбинации электронов в слоистых пленках $a$-Si : H. Это влияние обусловлено изменением заполнения электронами уровней оборванных связей кремния и уровней хвоста валентной зоны при смене типа генерации носителей тока. В результате при смешанной генерации носителей тока в исследованных пленках, имеющих малую врожденную концентрацию оборванных связей, рекомбинация электронов на них мала и рекомбинация на уровнях хвоста валентной зоны может преобладать вплоть до комнатных температур.

Поступила в редакцию: 04.08.2011
Принята в печать: 16.08.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:3, 315–318

Реферативные базы данных:

•