Эта публикация цитируется в 5 статьях

Обзоры

Инфракрасное излучение из кремниевых наноструктур, сильно легированных бором (Обзор)

Н. Т. Баграев^a, Л. Е. Клячкин^a, Р. В. Кузьмин^a, А. М. Маляренко^a, В. А. Машков<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Интенсивное сильно поляризованное излучение из кремниевых наноструктур, легированных бором до концентрации 5 $\cdot$ 10$^{21}$ см$^{-3}$, изучается в зависимости от температуры, величины прямого тока, а также в условиях приложения дополнительного латерального электрического поля. Особенности поведения интенсивности и степени поляризации люминесценции указывают на роль в ее формировании упорядоченной системы диполей B$^+$–B$^-$, образующейся вследствие реконструкции мелких акцепторов бора, как центров с отрицательной корреляционной энергией. Полученные результаты объясняются в рамках предложенной модели, построенной на основе двухэлектронных адиабатических потенциалов, согласно которой излучение возникает в результате донорно-акцепторной рекомбинации, протекающей через состояния дипольных центров бора при участии мелких доноров фосфора.

Поступила в редакцию: 01.09.2011
Принята в печать: 12.09.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:3, 275–288

Реферативные базы данных:

•