Эта публикация цитируется в 5 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Ионное легирование германия натрием

В. М. Король^a, Yu. Kudriavtsev<sup>b

a</sup> НИИ физики Южного федерального университета, 344090 Ростов-на-Дону, Россия
^b Dep. Ingenieria Electrica, CINVESTAV, Apdo Postal 14-740 Mexico, DF 07360 Mexico

Аннотация: Впервые получены доказательства донорных свойств Na при введении его имплантацией в $p$-Ge с удельным сопротивлением 20–40 Ом $\cdot$ см. Изучены профили Na, имплантированного в Ge (энергия 70 и 77 кэВ, дозы (0.8,3,30) $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-2}$). Установлены дозы и температуры отжига, при которых термозонд регистрирует $n$-тип проводимости на поверхности образца. После имплантации профили характеризуются протяженным хвостом, глубина максимума концентрации хорошо согласуется с рассчитанным средним пробегом ионов $R_p$. Отжиг при температурах 250–700$^\circ$C (30 мин) вызывает перераспределение Na с образованием сегрегационных пиков на глубине, зависящей от ионной дозы, и сопровождается диффузией атомов к поверхности с последующим испарением. После отжига при температуре 700$^\circ$C в матрице остается менее 7% имплантированных атомов. Вид хвостовых участков профилей, измеренных после отжига при температурах 300–400$^\circ$C, указывает на диффузию вглубь небольшой доли атомов Na.

Поступила в редакцию: 22.06.2011
Принята в печать: 05.07.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:2, 257–262

Реферативные базы данных:

•