Эта публикация цитируется в 8 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Дифракционные решетки с отражением в высоком порядке для мощных полупроводниковых лазеров

В. В. Васильева, Д. А. Винокуров, В. В. Золотарев, А. Ю. Лешко, А. Н. Петрунов, Н. А. Пихтин, М. Г. Растегаева, З. Н. Соколова, И. С. Шашкин, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Для осуществления селективной обратной связи в полупроводниковом лазере предложено создавать в одном из эмиттеров глубокую дифракционную решетку с большим периодом ($\sim$2 мкм). Расчеты частотной зависимости коэффициента отражения в 12-м порядке дифракции для прямоугольных, треугольных и трапециевидных дифракционных решеток показали, что для получения максимального коэффициента отражения волноводной моды в лазерной структуре следует использовать дифракционную решетку глубиной $\sim$2 мкм прямоугольной или трапециевидной формы. С использованием фотолитографических методов и реактивного ионного травления в эмиттере Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As лазерной структуры GaAs/AlGaAs были созданы глубокие дифракционные решетки трапециевидной формы с большим периодом.

Поступила в редакцию: 25.07.2011
Принята в печать: 01.08.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:2, 241–246

Реферативные базы данных:

•