Эта публикация цитируется в 15 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Особенности одновременной генерации через основное и возбужденное состояния в лазерах на квантовых точках

А. Е. Жуков^abc, М. В. Максимов^ab, Ю. М. Шерняков^ab, Д. А. Лившиц^d, А. В. Савельев^ac, Ф. И. Зубов^a, В. В. Клименко<sup>a

a</sup> Санкт-Петербургский Академический университет – научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^d Innolume GmbH, 44263 Дортмунд, Германия

Аннотация: Исследованы спектры генерации и ватт-амперные характеристики лазера на основе квантовых точек InAs/InGaAs, излучающего в режиме одновременной генерации на основном и возбужденном оптических переходах, а также проведено сопоставление спектров лазерной генерации и спонтанного излучения. Показано, что гашение генерации на основном переходе наблюдается и в отсутствие саморазогрева активной области, а также при отсутствии возрастания однородного уширения с ростом плотности тока. Обнаружено, что спад интенсивностей как лазерной генерации, так и спонтанного излучения, происходящих на основном переходе, начинается при накачке, заметно превышающей порог двухуровневой генерации. Также обнаружено, что в лазерную генерацию на основном и первом возбужденном оптических переходах вовлечены разные группы квантовых точек.

Поступила в редакцию: 06.07.2011
Принята в печать: 11.07.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:2, 231–235

Реферативные базы данных:

•