RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 2, страницы 235–240 (Mi phts8155)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние возбужденного оптического перехода на фактор уширения спектральной линии лазеров на квантовых точках

А. Е. Жуковabc, А. В. Савельевac, М. В. Максимовab, Ю. М. Шерняковab, Е. М. Аракчееваa, Ф. И. Зубовa, А. А. Красивичевa, Н. В. Крыжановскаяab

a Санкт-Петербургский Академический университет – научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 194251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Получено аналитическое выражение для фактора уширения спектральной линии лазера на основе квантовых точек, позволяющее в явном виде описать его зависимость от оптических потерь и плотности фотонов. Модель учитывает изменения показателя преломления на основном оптическом переходе вследствие изменения поглощения/усиления на первом возбужденном переходе квантовых точек. Показано, что уменьшение оптических потерь, увеличение насыщенного усиления, а также увеличение энергетического разделения между возбужденным и основным переходами приводит к снижению $\alpha$-фактора как на пороге, так и за порогом генерации.

Поступила в редакцию: 06.07.2011
Принята в печать: 11.07.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:2, 225–230

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026