В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, В. Ф. Гременок, Е. И. Теруков, Б. Х. Байрамов, Y. W. Song, “Фоточувствительность тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se$_2$/Mo, полученных на различных подложках”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 2,страницы 231

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Фоточувствительность тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se$_2$/Mo, полученных на различных подложках

В. Ю. Рудь^a, Ю. В. Рудь^b, В. Ф. Гременок^c, Е. И. Теруков^b, Б. Х. Байрамов^b, Y. W. Song^d

^a Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, 220072 Минск, Белоруссия
^d Korea Polytechnic University, 2121, Jungwang-dong, Siheung-city, Gyeonggi-do, 429-793, Korea

Аннотация: Представлены результаты по измерению первых спектров относительной квантовой эффективности фотопреобразования тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se$_2$/Mo, изготовленных на жесткой (стекло) и гибкой (полиимид) подложках. Исследован характер межзонных переходов и определены значения ширины запрещенной зоны для прямых и непрямых переходов в тонких пленках Cu(In,Ga)Se$_2$. Обнаружено, что с переходом от жеских к гибким подложкам наблюдается смещение максимальной фоточувствительности полученных солнечных элементов в коротковолновую спектральную область. Сделан вывод о возможностях применений тонкопленочных структур Cu(In,Ga)Se$_2$ в качестве широкополосных фотопреобразователей солнечного излучения.

Поступила в редакцию: 29.06.2011
Принята в печать: 11.07.2011