А. Л. Закгейм, М. Е. Левинштейн, В. П. Петров, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, “Низкочастотный шум в исходных и деградировавших синих InGaAs/GaN-светодиодах”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 2,страницы 219

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Низкочастотный шум в исходных и деградировавших синих InGaAs/GaN-светодиодах

А. Л. Закгейм^a, М. Е. Левинштейн^b, В. П. Петров^b, А. Е. Черняков^a, Е. И. Шабунина^b, Н. М. Шмидт^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Приведены результаты исследования спектральной плотности шума и ее зависимости от плотности тока в исходных и деградировавших синих светодиодах на основе InGaN/GaN квантоворазмерных структур. Показано, что генерация дефектов в процессе деградации происходит неоднородно и концентрируется вдоль протяженных дефектов, пронизывающих активную область светодиодов. Выяснено, что снижение значений внешней квантовой эффективности в процессе старения вызвано усилением неоднородности протекания тока, приводящим к формированию шунтов и областей локального перегрева. Эти эффекты – причины, типичного для синих светодиодов, неоднозначно развития деградационного процесса, затрудняющего прогнозирование срока службы светодиодов.
В узком диапазоне плотностей тока 10$^{-2}$–10$^{-1}$ А/см$^2$, соответствующему развитию излучательной рекомбинации, обнаружен эффект подавления шума.