RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 2, страницы 210–213 (Mi phts8150)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Углеродные системы

Диэлектрическая щель в нанолентах из графена с односторонней гидрогенизацией

Л. А. Опенов, А. И. Подливаев

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Численно расcчитана диэлектрическая щель $E_g$ в нанолентах из графена, полностью покрытого водородом с одной стороны. Показано, что $E_g$ на $\sim$1.5 эВ меньше, чем в нанолентах из графана такой же ширины $w$, и монотонно увеличивается при уменьшении $w$. Как и в нанолентах из графана, атомная структура границ исследуемой наноленты практически не влияет на величину $E_g$.

Поступила в редакцию: 04.07.2011
Принята в печать: 11.07.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:2, 199–202

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026