RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 2, страницы 204–209 (Mi phts8149)

Эта публикация цитируется в 21 статьях

Углеродные системы

Энергетическая щель в плотности состояний однолистного графена, наводимая адсорбцией

С. Ю. Давыдов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: На основании простой модели показано, что монослой адатомов, связанных косвенным обменом, вызывает появление щели в плотности состояний двумерной подложки. Подробно анализируется характер зависимости $\pi$- и $\pi^*$-зон и ширины щели от положения уровня адатома. Определены числа заполнения для монослоя адатомов и графена. Численные оценки приведены для графана.

Поступила в редакцию: 16.05.2011
Принята в печать: 15.06.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:2, 193–198

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026