Эта публикация цитируется в 7 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние дефектообразования при встраивании $\delta$-слоя Mn на спектр фоточувствительности от квантовых ям InGaAs/GaAs

А. П. Горшков, И. А. Карпович, Е. Д. Павлова, И. Л. Калентьева

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603600 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Исследовано влияние дефектообразования при нанесении $\delta$-слоя Mn и покровного слоя GaAs лазерным испарением на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, расположенными в приповерхностной области.

Поступила в редакцию: 06.07.2011
Принята в печать: 11.07.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:2, 184–187

Реферативные базы данных:

•