Эта публикация цитируется в 12 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние послеростовой термической обработки на структурные и оптические свойства InP/InAsP/InP нитевидных нанокристаллов

Г. Э. Цырлин^abc, M. Tchernycheva^d, G. Patriarche^e, J.-C. Harmand<sup>e

a</sup> Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^d Institut d’Electronique Fondamentale UMR 8622 CNRS, Universite Paris-Sud, 91405 Orsay Cedex, France
^e LPN CNRS, 91460 Marcoussis, France

Аннотация: Рассмотрено влияние послеростового отжига гетероструктурных InP/InAsP/InP нитевидных нанокристаллов, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на их структурные и оптические свойства. Показано, что процедура кратковременного отжига (1 мин) в атмосфере аргона позволяет повысить интенсивность излучения от InAsP-квантовых точек, подавить излучение от InAsP-квантовых ям, образованных вследствие латерального роста и существенно понизить плотность структурных дефектов в нитевидных нанокристаллах.

Поступила в редакцию: 04.07.2011
Принята в печать: 11.07.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:2, 175–178

Реферативные базы данных:

•