RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 2, страницы 158–163 (Mi phts8140)

Эта публикация цитируется в 23 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Влияние отжига на люминесценцию кристаллов CuI $p$-типа проводимости

А. Н. Грузинцев, В. Н. Загороднев

Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия

Аннотация: Исследование спектров фотолюминесценции образцов CuI с различным содержанием собственных дефектов были выполнены при температуре 80K с использованием непрерывного и импульсного оптического возбуждения. Обнаружены пики свечения связанных и свободных экситонов, а также рекомбинации электронов на мелкие и глубокие уровни кристаллических дефектов. Установлено наличие включений гексагональной фазы в кристаллах иодида меди после высокотемпературного отжига.


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:2, 149–154

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026