RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 2, страницы 152–157 (Mi phts8139)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Генерация терагерцового излучения поверхностным баллистическим фототоком при субпикосекундном лазерном возбуждении полупроводников

П. А. Зезюляa, В. Л. Малевичb, И. С. Манакa, А. Кроткусc

a Белорусский государственный университет, 220030 Минск, Беларусь
b Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, 220072 Минск, Беларусь
c Центр физических и технологических исследований, LT-01108 Вильнюс, Литва

Аннотация: Построена аналитическая модель формирования поверхностного баллистического фототока при лазерном фемтосекундном возбуждении кубических полупроводников. Показано, что вклад параллельного поверхностного фототока в генерацию терагерцовых импульсов может быть сравним с вкладом нормальной компоненты фототока. Учет кубической симметрии полупроводникового кристалла приводит к азимутальной анизотропии терагерцовой генерации.

Поступила в редакцию: 20.06.2011
Принята в печать: 10.08.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:2, 143–148

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026