Эта публикация цитируется в 14 статьях

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Кинетика образования трещин в пористом кремнии

Д. С. Гаев, С. Ш. Рехвиашвили

Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х. М. Бербекова, 360004 Нальчик, Россия

Аннотация: Проведено экспериментальное и теоретическое исследование образования трещин в пористом кремнии, полученном электрохимическим способом. Обнаружено, что кинетика растрескивания пористого кремния описывается $s$-образным распределением Вейбулла. Данный факт, по-видимому, имеет неспецифический (общий) характер и может проявляться при образовании трещин в других твердых пористых материалах.

Поступила в редакцию: 05.07.2011
Принята в печать: 11.07.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:2, 137–140

Реферативные базы данных:

•