В. А. Козлов, С. В. Оболенский, В. Б. Шмагин, З. Ф. Красильник, “Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого $p$–$n$-перехода”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 1,страницы 134

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого $p$–$n$-перехода

В. А. Козлов^a, С. В. Оболенский^b, В. Б. Шмагин^a, З. Ф. Красильник^a

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Методом Монте-Карло рассчитаны распределения электрического поля, потенциала и вероятности межзонного туннелирования по площади обратносмещенного $p$–$n$-перехода с учетом дискретности распределения заряда ионизованных доноров и акцепторов. Расчеты выполнены в трехмерном приближении на основе принципа суперпозиции электрических полей пар ионов “ионизованный донор-ионизованный акцептор”. Показано, что в области скопления трех и более пар ионов с характерным расстоянием между ними около половины длины волны де Бройля наблюдается увеличение вероятности туннелирования, связанное с локальным увеличением напряженности электрического поля.

Поступила в редакцию: 30.06.2011
Принята в печать: 11.07.2011