RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 1, страницы 125–129 (Mi phts8132)

Эта публикация цитируется в 45 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Экспериментальное исследование умножителей частоты на полупроводниковых сверхрешетках в терагерцовом диапазоне частот

Д. Г. Павельевa, Ю. И. Кошуриновa, А. С. Ивановa, А. Н. Панинb, В. Л. Ваксb, В. И. Гавриленкоb, А. В. Антоновb, В. М. Устиновc, А. Е. Жуковd

a Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
d Санкт-Петербургский академический университет – научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведено экспериментальное исследование умножителя частоты на полупроводниковой квантовой сверхрешетке GaAs/AlAs. Измерялся спектр мощности гармоник выходного сигнала умножителя с частотой входного сигнала 140–160 ГГц. В исследовании использовались планарные диоды с малой активной областью размером 1–2 мкм$^2$. Для изготовления диодов применялись выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии структуры сильно легированных сверхрешеток с шириной мини-зоны 24 мэВ. Измерения проводились при помощи спектрометра с преобразованием Фурье “BOMEM” DA3.36, оснащенного приемником на основе охлаждаемого до температуры жидкого гелия болометра. По результатам измерений построены графики зависимости мощности гармоник от частоты в диапазоне 0.4 до 8.1 ТГц. Определено, что характер распределения СВЧ мощности по номерам гармоник близок к спектру последовательности знакопеременных импульсов, возникающих в цепи диода при превышении приложенного напряжения входного сигнала над пороговым напряжением диода. Рассчитанные по результатам измерений минимальное время установления фронта импульсов и длительность импульсов равны 123 и 667 фс.

Поступила в редакцию: 06.06.2011
Принята в печать: 15.06.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:1, 121–125

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026